货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥105.669587 | ¥105.67 |
10 | ¥90.605788 | ¥906.06 |
100 | ¥75.504822 | ¥7550.48 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.485 g
购物车
0NTB082N65S3F
型号:NTB082N65S3F
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥105.669587 |
10+: | ¥90.605788 |
100+: | ¥75.504822 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥105.67