
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥121.158156 | ¥121.16 |
| 10 | ¥103.886372 | ¥1038.86 |
| 100 | ¥86.571977 | ¥8657.20 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.485 g
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0NTB082N65S3F
型号:NTB082N65S3F
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥121.158156 |
| 10+: | ¥103.886372 |
| 100+: | ¥86.571977 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥121.16