货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.256236 | ¥6.26 |
10 | ¥5.760398 | ¥57.60 |
30 | ¥5.661239 | ¥169.84 |
100 | ¥5.363729 | ¥536.37 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 7.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1407PBF SP001564238
单位重量 2 g
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0IRF1407PBF
型号:IRF1407PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.256236 |
10+: | ¥5.760398 |
30+: | ¥5.661239 |
100+: | ¥5.363729 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.26