BSZ0901NSIATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ0901NSIATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：3166
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.827229 | ￥14.83 |
| 10 | ￥13.20859 | ￥132.09 |
| 25 | ￥12.543835 | ￥313.60 |
| 100 | ￥9.40664 | ￥940.66 |
| 250 | ￥9.316442 | ￥2329.11 |
| 500 | ￥7.972848 | ￥3986.42 |
| 1000 | ￥6.494696 | ￥6494.70 |
| 2500 | ￥6.405115 | ￥16012.79 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSZ0901NSIATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.1mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2600pF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSZ0901NSIATMA1 同类别型号
注
BSZ0901NSIATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSZ0901NSIATMA1
数据手册PDF
。
BSZ0901NSIATMA1
型号：BSZ0901NSIATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：3166 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.827229 |
| 10+： | ￥13.20859 |
| 25+： | ￥12.543835 |
| 100+： | ￥9.40664 |
| 250+： | ￥9.316442 |
| 500+： | ￥7.972848 |
| 1000+： | ￥6.494696 |
| 2500+： | ￥6.405115 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.83