
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.543394 | ¥7.54 |
| 10 | ¥7.338966 | ¥73.39 |
| 30 | ¥7.202681 | ¥216.08 |
| 100 | ¥7.066396 | ¥706.64 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
购物车
0ZVN4306GVTA
型号:ZVN4306GVTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.543394 |
| 10+: | ¥7.338966 |
| 30+: | ¥7.202681 |
| 100+: | ¥7.066396 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.54