RS1E321GNTB1
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- 制造商编号：
- RS1E321GNTB1
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- RS1E321GN IS A POWER MOSFET WITH
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥6.154081 | ￥15385.20 |
| 5000 | ￥5.922773 | ￥29613.87 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 42.8 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28.5 ns
上升时间 15.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 74.6 ns
典型接通延迟时间 21.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
RS1E321GNTB1 同类别型号
注
RS1E321GNTB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RS1E321GNTB1
数据手册PDF。
RS1E321GNTB1
型号：RS1E321GNTB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥6.154081 |
| 5000+： | ￥5.922773 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00