货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.884819 | ¥9.88 |
10 | ¥8.69864 | ¥86.99 |
25 | ¥8.169803 | ¥204.25 |
100 | ¥5.929656 | ¥592.97 |
250 | ¥5.719356 | ¥1429.84 |
500 | ¥4.954765 | ¥2477.38 |
1000 | ¥4.216864 | ¥4216.86 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24.1 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 68 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIRA10BDP-T1-GE3
型号:SIRA10BDP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.884819 |
10+: | ¥8.69864 |
25+: | ¥8.169803 |
100+: | ¥5.929656 |
250+: | ¥5.719356 |
500+: | ¥4.954765 |
1000+: | ¥4.216864 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.88