STW23N85K5
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- 制造商编号：
- STW23N85K5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
- 渠道：
- digikey
库存 ：58
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥77.966509 | ￥77.97 |
| 10 | ￥69.984518 | ￥699.85 |
| 25 | ￥66.168978 | ￥1654.22 |
| 100 | ￥52.933206 | ￥5293.32 |
| 250 | ￥49.992472 | ￥12498.12 |
| 500 | ￥47.051738 | ￥23525.87 |
| 1000 | ￥40.288051 | ￥40288.05 |
| 2500 | ￥39.699904 | ￥99249.76 |
| 5000 | ￥36.171024 | ￥180855.12 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STW23N85K5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
850V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
275mOhm @ 9.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
38nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1650pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
STW23N85K5 同类别型号
注
STW23N85K5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STW23N85K5
数据手册PDF。
STW23N85K5
型号：STW23N85K5
品牌：ST
供货：锐单
库存：58 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥77.966509 |
| 10+： | ￥69.984518 |
| 25+： | ￥66.168978 |
| 100+： | ￥52.933206 |
| 250+： | ￥49.992472 |
| 500+： | ￥47.051738 |
| 1000+： | ￥40.288051 |
| 2500+： | ￥39.699904 |
| 5000+： | ￥36.171024 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥77.97