SIS427EDN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS427EDN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.41796 | ￥8.42 |
| 10 | ￥7.316198 | ￥73.16 |
| 100 | ￥5.063155 | ￥506.32 |
| 500 | ￥4.231016 | ￥2115.51 |
| 1000 | ￥3.600907 | ￥3600.91 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 21.3 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS427EDN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS427EDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIS427EDN-T1-GE3
数据手册PDF。
SIS427EDN-T1-GE3
型号：SIS427EDN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.41796 |
| 10+： | ￥7.316198 |
| 100+： | ￥5.063155 |
| 500+： | ￥4.231016 |
| 1000+： | ￥3.600907 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.42