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SQD100N04-3M6L_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQD100N04-3M6L_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
渠道:
digikey

库存 :937

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 22.100697 22.10
10 19.748957 197.49
25 18.745924 468.65
100 14.058027 1405.80
250 13.923439 3480.86
500 11.915393 5957.70
1000 9.706314 9706.31

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 130 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

正向跨导(Min) 105 S

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 39 ns

典型接通延迟时间 9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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SQD100N04-3M6L_GE3

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型号:SQD100N04-3M6L_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:937 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥22.100697
10+: ¥19.748957
25+: ¥18.745924
100+: ¥14.058027
250+: ¥13.923439
500+: ¥11.915393
1000+: ¥9.706314

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