
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.100697 | ¥22.10 |
| 10 | ¥19.748957 | ¥197.49 |
| 25 | ¥18.745924 | ¥468.65 |
| 100 | ¥14.058027 | ¥1405.80 |
| 250 | ¥13.923439 | ¥3480.86 |
| 500 | ¥11.915393 | ¥5957.70 |
| 1000 | ¥9.706314 | ¥9706.31 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 105 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD100N04-3M6L_GE3
型号:SQD100N04-3M6L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.100697 |
| 10+: | ¥19.748957 |
| 25+: | ¥18.745924 |
| 100+: | ¥14.058027 |
| 250+: | ¥13.923439 |
| 500+: | ¥11.915393 |
| 1000+: | ¥9.706314 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.10