货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.816583 | ¥5449.75 |
6000 | ¥1.757949 | ¥10547.69 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 195 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI8487DB-E1
单位重量 45.104 mg
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0SI8487DB-T1-E1
型号:SI8487DB-T1-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.816583 |
6000+: | ¥1.757949 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00