
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥0.964544 | ¥9645.44 |
| 30000 | ¥0.942293 | ¥28268.79 |
| 50000 | ¥0.918276 | ¥45913.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG3401LSNQ-13
型号:DMG3401LSNQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥0.964544 |
| 30000+: | ¥0.942293 |
| 50000+: | ¥0.918276 |
货期:1-2天
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