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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥1.179645 | ¥11796.45 |
30000 | ¥1.152431 | ¥34572.93 |
50000 | ¥1.123059 | ¥56152.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG3401LSNQ-13
型号:DMG3401LSNQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.179645 |
30000+: | ¥1.152431 |
50000+: | ¥1.123059 |
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