SIDR608DP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIDR608DP-T1-RE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 45V PP SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥13.351177 | ￥40053.53 |
| 6000 | ￥12.383701 | ￥74302.21 |
| 15000 | ￥11.899962 | ￥178499.43 |
| 30000 | ￥11.60972 | ￥348291.60 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 208 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 111 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIDR608DP-T1-RE3 同类别型号
注
SIDR608DP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIDR608DP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIDR608DP-T1-RE3
型号：SIDR608DP-T1-RE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥13.351177 |
| 6000+： | ￥12.383701 |
| 15000+： | ￥11.899962 |
| 30000+： | ￥11.60972 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00