货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.542415 | ¥28.54 |
10 | ¥25.638749 | ¥256.39 |
25 | ¥24.188152 | ¥604.70 |
100 | ¥18.866412 | ¥1886.64 |
250 | ¥18.382304 | ¥4595.58 |
500 | ¥15.963488 | ¥7981.74 |
1000 | ¥13.544674 | ¥13544.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 208 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 111 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIDR608DP-T1-RE3
型号:SIDR608DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.542415 |
10+: | ¥25.638749 |
25+: | ¥24.188152 |
100+: | ¥18.866412 |
250+: | ¥18.382304 |
500+: | ¥15.963488 |
1000+: | ¥13.544674 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.54