
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.606308 | ¥26.61 |
| 10 | ¥23.878461 | ¥238.78 |
| 100 | ¥19.563758 | ¥1956.38 |
| 500 | ¥16.654205 | ¥8327.10 |
| 1000 | ¥14.045778 | ¥14045.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 99 nC
耗散功率 390 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 S
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4332PBF SP001556040
单位重量 2 g
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0IRFB4332PBF
型号:IRFB4332PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.606308 |
| 10+: | ¥23.878461 |
| 100+: | ¥19.563758 |
| 500+: | ¥16.654205 |
| 1000+: | ¥14.045778 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.61