货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥4.299896 | ¥12899.69 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 2.6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0SIHU3N50DA-GE3
型号:SIHU3N50DA-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.299896 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00