SIR484DP-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIR484DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.705998 | ￥1706.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIR484DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.3mOhm @ 17.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
830pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SIR484DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIR484DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIR484DP-T1-GE3、查询SIR484DP-T1-GE3代理商；
SIR484DP-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIR484DP-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIR484DP-T1-GE3
替代型号
、SIR484DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIR484DP-T1-GE3
型号：SIR484DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.705998 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00