SBC847BPDXV6T1G
库存 ：120688
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.660323 | ￥5.66 |
| 10 | ￥3.839841 | ￥38.40 |
| 100 | ￥2.594569 | ￥259.46 |
| 500 | ￥2.010487 | ￥1005.24 |
| 1000 | ￥1.816353 | ￥1816.35 |
| 2000 | ￥1.65052 | ￥3301.04 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V, - 45 V
集电极—基极电压 50 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 5 V
饱和电压 600 mV, - 650 mV
最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 475
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
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注
SBC847BPDXV6T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
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数据手册PDF。
SBC847BPDXV6T1G
型号：SBC847BPDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：120688 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.660323 |
| 10+： | ￥3.839841 |
| 100+： | ￥2.594569 |
| 500+： | ￥2.010487 |
| 1000+： | ￥1.816353 |
| 2000+： | ￥1.65052 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.66