货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥13.31282 | ¥39938.46 |
6000 | ¥12.812342 | ¥76874.05 |
9000 | ¥12.388136 | ¥111493.22 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 104 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0SIDR668ADP-T1-RE3
型号:SIDR668ADP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥13.31282 |
6000+: | ¥12.812342 |
9000+: | ¥12.388136 |
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