商品描述
P-CHANNEL POWER MOSFET
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
125mOhm @ 3.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
270pF @ 10V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)