货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.255508 | ¥8138.77 |
5000 | ¥3.092753 | ¥15463.77 |
12500 | ¥2.97645 | ¥37205.63 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 3.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0R6002END3TL1
型号:R6002END3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.255508 |
5000+: | ¥3.092753 |
12500+: | ¥2.97645 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00