SISA26DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISA26DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
- 渠道：
- digikey
库存 ：2885
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.125836 | ￥10.13 |
| 10 | ￥8.966856 | ￥89.67 |
| 100 | ￥6.87093 | ￥687.09 |
| 500 | ￥5.431352 | ￥2715.68 |
| 1000 | ￥4.345082 | ￥4345.08 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 88 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISA26DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISA26DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SISA26DN-T1-GE3、查询SISA26DN-T1-GE3代理商；
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替代型号
、SISA26DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISA26DN-T1-GE3
型号：SISA26DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2885 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.125836 |
| 10+： | ￥8.966856 |
| 100+： | ￥6.87093 |
| 500+： | ￥5.431352 |
| 1000+： | ￥4.345082 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.13