货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.773017 | ¥16.77 |
10 | ¥13.716602 | ¥137.17 |
100 | ¥10.672609 | ¥1067.26 |
500 | ¥9.046248 | ¥4523.12 |
1000 | ¥7.369194 | ¥7369.19 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 19.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS890DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SIS890DN-T1-GE3
型号:SIS890DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.773017 |
10+: | ¥13.716602 |
100+: | ¥10.672609 |
500+: | ¥9.046248 |
1000+: | ¥7.369194 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.77