SIS890DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS890DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：14435
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.23153 | ￥19.23 |
| 10 | ￥15.727119 | ￥157.27 |
| 100 | ￥12.236952 | ￥1223.70 |
| 500 | ￥10.372206 | ￥5186.10 |
| 1000 | ￥8.449338 | ￥8449.34 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 19.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS890DN-GE3
单位重量 1 g
SIS890DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS890DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIS890DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SIS890DN-T1-GE3
型号：SIS890DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：14435 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.23153 |
| 10+： | ￥15.727119 |
| 100+： | ￥12.236952 |
| 500+： | ￥10.372206 |
| 1000+： | ￥8.449338 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.23