货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.999037 | ¥17.00 |
10 | ¥15.183493 | ¥151.83 |
100 | ¥11.841506 | ¥1184.15 |
500 | ¥9.781733 | ¥4890.87 |
1000 | ¥7.72242 | ¥7722.42 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 5.2 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86.200 mg
购物车
0CSD18511Q5A
型号:CSD18511Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.999037 |
10+: | ¥15.183493 |
100+: | ¥11.841506 |
500+: | ¥9.781733 |
1000+: | ¥7.72242 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.00