
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.748454 | ¥2245.36 |
| 6000 | ¥0.717392 | ¥4304.35 |
| 9000 | ¥0.645609 | ¥5810.48 |
| 30000 | ¥0.636076 | ¥19082.28 |
| 75000 | ¥0.597816 | ¥44836.20 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2305CDS-T1-GE3
型号:SI2305CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.748454 |
| 6000+: | ¥0.717392 |
| 9000+: | ¥0.645609 |
| 30000+: | ¥0.636076 |
| 75000+: | ¥0.597816 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00