货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.442918 | ¥13.44 |
10 | ¥12.091476 | ¥120.91 |
100 | ¥9.716798 | ¥971.68 |
500 | ¥7.983521 | ¥3991.76 |
1000 | ¥7.257746 | ¥7257.75 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 160 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 150 S
上升时间 4.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18533KCS
型号:CSD18533KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.442918 |
10+: | ¥12.091476 |
100+: | ¥9.716798 |
500+: | ¥7.983521 |
1000+: | ¥7.257746 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.44