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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.966715 | ¥5.97 |
10 | ¥4.83967 | ¥48.40 |
100 | ¥3.296279 | ¥329.63 |
500 | ¥2.472607 | ¥1236.30 |
1000 | ¥1.854455 | ¥1854.45 |
2000 | ¥1.699984 | ¥3399.97 |
5000 | ¥1.596959 | ¥7984.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 2.02 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 0.6 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0DMN3016LFDE-13
型号:DMN3016LFDE-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.966715 |
10+: | ¥4.83967 |
100+: | ¥3.296279 |
500+: | ¥2.472607 |
1000+: | ¥1.854455 |
2000+: | ¥1.699984 |
5000+: | ¥1.596959 |
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