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DMN1019UFDE-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN1019UFDE-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
渠道:
digikey

库存 :166851

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.856538 5.86
10 5.034131 50.34
100 3.497724 349.77
500 2.731141 1365.57
1000 2.219878 2219.88

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 11 A

漏源电阻 10 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 27.3 nC

耗散功率 690 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 16.8 ns

正向跨导(Min) 28 S

上升时间 22.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 57.6 ns

典型接通延迟时间 7.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.750 mg

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DMN1019UFDE-7

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型号:DMN1019UFDE-7

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥5.856538
10+: ¥5.034131
100+: ¥3.497724
500+: ¥2.731141
1000+: ¥2.219878

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