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SIR862DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIR862DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :2925

货期:(7~10天)

起订量:27

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
27 6.199037 167.37
50 5.951053 297.55
100 5.703212 570.32
300 5.455228 1636.57
500 5.207099 2603.55
1000 4.959258 4959.26

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 50 A

漏源电阻 2.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 90 nC

耗散功率 69 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIR862DP-T1-GE3

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型号:SIR862DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:2925 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

27+: ¥6.199037
50+: ¥5.951053
100+: ¥5.703212
300+: ¥5.455228
500+: ¥5.207099
1000+: ¥4.959258

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