货期:(7~10天)
起订量:27
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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27 | ¥6.199037 | ¥167.37 |
50 | ¥5.951053 | ¥297.55 |
100 | ¥5.703212 | ¥570.32 |
300 | ¥5.455228 | ¥1636.57 |
500 | ¥5.207099 | ¥2603.55 |
1000 | ¥4.959258 | ¥4959.26 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIR862DP-T1-GE3
型号:SIR862DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
27+: | ¥6.199037 |
50+: | ¥5.951053 |
100+: | ¥5.703212 |
300+: | ¥5.455228 |
500+: | ¥5.207099 |
1000+: | ¥4.959258 |
货期:7-10天
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