货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.279992 | ¥3839.98 |
6000 | ¥1.214908 | ¥7289.45 |
9000 | ¥1.128128 | ¥10153.15 |
30000 | ¥1.102066 | ¥33061.98 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 1.66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2308BDS-T1-GE3
型号:SI2308BDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.279992 |
6000+: | ¥1.214908 |
9000+: | ¥1.128128 |
30000+: | ¥1.102066 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00