货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.926598 | ¥9.93 |
10 | ¥9.106218 | ¥91.06 |
30 | ¥8.942142 | ¥268.26 |
100 | ¥8.449914 | ¥844.99 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.3 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4020PBF SP001564028
单位重量 2 g
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0IRFB4020PBF
型号:IRFB4020PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.926598 |
10+: | ¥9.106218 |
30+: | ¥8.942142 |
100+: | ¥8.449914 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.93