货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.352416 | ¥14.35 |
10 | ¥11.771498 | ¥117.71 |
100 | ¥9.154072 | ¥915.41 |
500 | ¥7.758865 | ¥3879.43 |
1000 | ¥6.320477 | ¥6320.48 |
2000 | ¥5.949959 | ¥11899.92 |
5000 | ¥5.666687 | ¥28333.43 |
10000 | ¥5.405069 | ¥54050.69 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.4 A
漏源电阻 1.35 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHU5N80AE-GE3
型号:SIHU5N80AE-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.352416 |
10+: | ¥11.771498 |
100+: | ¥9.154072 |
500+: | ¥7.758865 |
1000+: | ¥6.320477 |
2000+: | ¥5.949959 |
5000+: | ¥5.666687 |
10000+: | ¥5.405069 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.35