STH185N10F3-2
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- 制造商编号：
- STH185N10F3-2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：46
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 46 | ￥10.607311 | ￥487.94 |
| 50 | ￥10.607311 | ￥530.37 |
| 100 | ￥10.165281 | ￥1016.53 |
| 300 | ￥9.723334 | ￥2917.00 |
| 500 | ￥9.281303 | ￥4640.65 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH185N10F3-2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
114.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6665pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
315W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH185N10F3-2 同类别型号
注
STH185N10F3-2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STH185N10F3-2
数据手册PDF。
STH185N10F3-2
型号：STH185N10F3-2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 46+： | ￥10.607311 |
| 50+： | ￥10.607311 |
| 100+： | ￥10.165281 |
| 300+： | ￥9.723334 |
| 500+： | ￥9.281303 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00