SI2308BDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2308BDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：58948
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.557394 | ￥6.56 |
| 10 | ￥5.604716 | ￥56.05 |
| 100 | ￥3.898558 | ￥389.86 |
| 500 | ￥3.044117 | ￥1522.06 |
| 1000 | ￥2.474242 | ￥2474.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 1.66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3
单位重量 8 mg
SI2308BDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2308BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2308BDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2308BDS-T1-GE3
型号：SI2308BDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：58948 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.557394 |
| 10+： | ￥5.604716 |
| 100+： | ￥3.898558 |
| 500+： | ￥3.044117 |
| 1000+： | ￥2.474242 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.56