STH185N10F3-2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STH185N10F3-2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：46
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 46 | ￥21.016038 | ￥966.74 |
| 50 | ￥21.016038 | ￥1050.80 |
| 100 | ￥20.140252 | ￥2014.03 |
| 300 | ￥19.264633 | ￥5779.39 |
| 500 | ￥18.388847 | ￥9194.42 |
| 1000 | ￥17.513392 | ￥17513.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH185N10F3-2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
114.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6665pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
315W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH185N10F3-2 同类别型号
注
STH185N10F3-2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STH185N10F3-2、查询STH185N10F3-2代理商；
STH185N10F3-2价格批发咨询客服；这里拥有
STH185N10F3-2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STH185N10F3-2
替代型号
、STH185N10F3-2
数据手册PDF。
STH185N10F3-2
型号：STH185N10F3-2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 46+： | ￥21.016038 |
| 50+： | ￥21.016038 |
| 100+： | ￥20.140252 |
| 300+： | ￥19.264633 |
| 500+： | ￥18.388847 |
| 1000+： | ￥17.513392 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00