
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥55.247219 | ¥55.25 |
| 50 | ¥44.12702 | ¥2206.35 |
| 100 | ¥39.482599 | ¥3948.26 |
| 500 | ¥34.837587 | ¥17418.79 |
| 1000 | ¥31.353829 | ¥31353.83 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 47 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 148 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 82 ns
上升时间 72 ns
典型关闭延迟时间 93 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG47N60E-GE3
型号:SIHG47N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥55.247219 |
| 50+: | ¥44.12702 |
| 100+: | ¥39.482599 |
| 500+: | ¥34.837587 |
| 1000+: | ¥31.353829 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥55.25