货期:国内(1~3工作日)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥1.557682 | ¥7.79 |
50 | ¥1.237622 | ¥61.88 |
150 | ¥1.081363 | ¥162.20 |
500 | ¥0.94204 | ¥471.02 |
2000 | ¥0.903685 | ¥1807.37 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 86 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 73 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR8726TRPBF SP001573108
单位重量 330 mg
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0IRLR8726TRPBF
型号:IRLR8726TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5+: | ¥1.557682 |
50+: | ¥1.237622 |
150+: | ¥1.081363 |
500+: | ¥0.94204 |
2000+: | ¥0.903685 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00