货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥128.265414 | ¥128.27 |
25 | ¥102.418254 | ¥2560.46 |
100 | ¥91.638235 | ¥9163.82 |
500 | ¥80.857721 | ¥40428.86 |
1000 | ¥72.771899 | ¥72771.90 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38.8 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK39J60W,S1VQ
型号:TK39J60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥128.265414 |
25+: | ¥102.418254 |
100+: | ¥91.638235 |
500+: | ¥80.857721 |
1000+: | ¥72.771899 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥128.27