货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.396333 | ¥7.40 |
10 | ¥6.356224 | ¥63.56 |
100 | ¥4.746366 | ¥474.64 |
500 | ¥3.729371 | ¥1864.69 |
1000 | ¥2.881796 | ¥2881.80 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 86 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 73 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR8726TRPBF SP001573108
单位重量 330 mg
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0IRLR8726TRPBF
型号:IRLR8726TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.396333 |
10+: | ¥6.356224 |
100+: | ¥4.746366 |
500+: | ¥3.729371 |
1000+: | ¥2.881796 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.40