STH160N4LF6-2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STH160N4LF6-2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.242368 | ￥22.24 |
| 10 | ￥20.003964 | ￥200.04 |
| 25 | ￥18.876262 | ￥471.91 |
| 100 | ￥14.725298 | ￥1472.53 |
| 250 | ￥14.347321 | ￥3586.83 |
| 500 | ￥12.45941 | ￥6229.70 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH160N4LF6-2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.2mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
181nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8130pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH160N4LF6-2 同类别型号
注
STH160N4LF6-2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STH160N4LF6-2、查询STH160N4LF6-2代理商；
STH160N4LF6-2价格批发咨询客服；这里拥有
STH160N4LF6-2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STH160N4LF6-2
替代型号
、STH160N4LF6-2
数据手册PDF。
STH160N4LF6-2
型号：STH160N4LF6-2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.242368 |
| 10+： | ￥20.003964 |
| 25+： | ￥18.876262 |
| 100+： | ￥14.725298 |
| 250+： | ￥14.347321 |
| 500+： | ￥12.45941 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.24