APT34N80B2C3G
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- 制造商编号：
- APT34N80B2C3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥67.932387 | ￥3396.62 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT34N80B2C3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
145mOhm @ 22A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.9V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
355nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4510pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
417W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 Variant
APT34N80B2C3G 同类别型号
注
APT34N80B2C3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、APT34N80B2C3G
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。
APT34N80B2C3G
型号：APT34N80B2C3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥67.932387 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00