HN4C51J(TE85L,F)
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- 制造商编号：
- HN4C51J(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 双极晶体管预偏置
- 商品描述：
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.731929 | ￥5195.79 |
| 6000 | ￥1.593801 | ￥9562.81 |
| 15000 | ￥1.43442 | ￥21516.30 |
| 30000 | ￥1.41317 | ￥42395.10 |
| 75000 | ￥1.328167 | ￥99612.53 |
| 150000 | ￥1.27504 | ￥191256.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 120 V
集电极—基极电压 120 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 700
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 14 mg
HN4C51J(TE85L,F) 同类别型号
注
HN4C51J(TE85L,F)
型号：HN4C51J(TE85L,F)
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.731929 |
| 6000+： | ￥1.593801 |
| 15000+： | ￥1.43442 |
| 30000+： | ￥1.41317 |
| 75000+： | ￥1.328167 |
| 150000+： | ￥1.27504 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00