货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥117.048698 | ¥117.05 |
10 | ¥100.284944 | ¥1002.85 |
100 | ¥83.569547 | ¥8356.95 |
500 | ¥73.737953 | ¥36868.98 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 88 A
漏源电阻 9.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 87 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB107N20NA SP000877674
单位重量 4 g
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0IPB107N20NAATMA1
型号:IPB107N20NAATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥117.048698 |
10+: | ¥100.284944 |
100+: | ¥83.569547 |
500+: | ¥73.737953 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥117.05