货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.054451 | ¥6.05 |
10 | ¥5.152462 | ¥51.52 |
25 | ¥4.813907 | ¥120.35 |
100 | ¥3.575833 | ¥357.58 |
250 | ¥3.396919 | ¥849.23 |
500 | ¥2.79172 | ¥1395.86 |
1000 | ¥2.269183 | ¥2269.18 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 88 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SISH108DN-T1-GE3
型号:SISH108DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.054451 |
10+: | ¥5.152462 |
25+: | ¥4.813907 |
100+: | ¥3.575833 |
250+: | ¥3.396919 |
500+: | ¥2.79172 |
1000+: | ¥2.269183 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.05