货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥120.629941 | ¥120.63 |
10 | ¥110.874039 | ¥1108.74 |
100 | ¥93.64119 | ¥9364.12 |
500 | ¥83.300638 | ¥41650.32 |
1000 | ¥78.339124 | ¥78339.12 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61.8 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 310 ns
典型接通延迟时间 115 ns
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK62J60W,S1VQ
型号:TK62J60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥120.629941 |
10+: | ¥110.874039 |
100+: | ¥93.64119 |
500+: | ¥83.300638 |
1000+: | ¥78.339124 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥120.63