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起订量:4800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4800 | ¥3.476569 | ¥16687.53 |
9600 | ¥3.316112 | ¥31834.68 |
24000 | ¥3.20914 | ¥77019.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.45 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.6 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6620TRPBF SP001524564
单位重量 500 mg
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0IRF6620TRPBF
型号:IRF6620TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
4800+: | ¥3.476569 |
9600+: | ¥3.316112 |
24000+: | ¥3.20914 |
货期:1-2天
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