
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.42555 | ¥17.43 |
| 10 | ¥15.626326 | ¥156.26 |
| 25 | ¥14.835802 | ¥370.90 |
| 100 | ¥11.126851 | ¥1112.69 |
| 250 | ¥11.020882 | ¥2755.22 |
| 500 | ¥9.431332 | ¥4715.67 |
| 1000 | ¥7.682826 | ¥7682.83 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.45 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.6 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6620TRPBF SP001524564
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6620TRPBF
型号:IRF6620TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.42555 |
| 10+: | ¥15.626326 |
| 25+: | ¥14.835802 |
| 100+: | ¥11.126851 |
| 250+: | ¥11.020882 |
| 500+: | ¥9.431332 |
| 1000+: | ¥7.682826 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.43