库存 ：631
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.728866 | ￥35.73 |
| 10 | ￥33.916533 | ￥339.17 |
| 20 | ￥32.104198 | ￥642.08 |
| 50 | ￥30.421317 | ￥1521.07 |
| 100 | ￥29.644603 | ￥2964.46 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BDV65
制造商
NTE
商品描述
T-NPN SI- HIGH PWR DARL
包装
-
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
12A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
1000 @ 5A, 4V
功率 - 最大值
125W
频率 - 跃迁
60MHz
工作温度
-
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-218-3
供应商器件封装
TO-218
BDV65 同类别型号
注
BDV65
型号：BDV65
品牌：NTE
供货：锐单
库存：631 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.728866 |
| 10+： | ￥33.916533 |
| 20+： | ￥32.104198 |
| 50+： | ￥30.421317 |
| 100+： | ￥29.644603 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.73