
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥30.491897 | ¥30.49 |
| 10 | ¥25.376667 | ¥253.77 |
| 100 | ¥20.19447 | ¥2019.45 |
| 500 | ¥17.087147 | ¥8543.57 |
| 1000 | ¥14.498043 | ¥14498.04 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FDD86367
型号:FDD86367
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥30.491897 |
| 10+: | ¥25.376667 |
| 100+: | ¥20.19447 |
| 500+: | ¥17.087147 |
| 1000+: | ¥14.498043 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.49