货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥111.476118 | ¥111.48 |
10 | ¥102.43075 | ¥1024.31 |
100 | ¥88.454405 | ¥8845.44 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 54.9 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 288 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPW55N80C3 SP000849356
单位重量 6 g
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0SPW55N80C3FKSA1
型号:SPW55N80C3FKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥111.476118 |
10+: | ¥102.43075 |
100+: | ¥88.454405 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥111.48