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SIRA99DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIRA99DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V PP SO-8
渠道:
digikey

库存 :9559

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 37.530477 37.53
10 31.119021 311.19
100 24.764429 2476.44
500 20.954801 10477.40
1000 17.77978 17779.78

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 195 A

漏源电阻 1.7 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 16 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 172.5 nC

耗散功率 104 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 57 ns

正向跨导(Min) 114 S

上升时间 183 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 64 ns

典型接通延迟时间 69 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIRA99DP-T1-GE3

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型号:SIRA99DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:9559 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥37.530477
10+: ¥31.119021
100+: ¥24.764429
500+: ¥20.954801
1000+: ¥17.77978

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